[发明专利]集成高低压器件的半导体芯片有效
| 申请号： | 201210346070.3 | 申请日： | 2012-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN103050509A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 秀明土子 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/06 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 张静洁;徐雯琼 |
| 地址： | 美国加利福尼亚桑*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种由高压器件和低压器件构成的半导体芯片。所制备的芯片具有多种不同的配置。例如，该半导体芯片可以包含NPN双极晶体管、PNP双极晶体管、二极管、N通道DMOS晶体管以及类似器件。第一掺杂阱配置成DMOS晶体管、P通道DMOS晶体管以及类似器件的基极。这些及其他实施例将在下文中详细介绍。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 低压 器件 半导体 芯片 | ||
【主权项】：
一种由高压器件和低压器件构成的半导体芯片，其特征在于，该半导体芯片包含： 一个第一导电类型的衬底层；一个第一导电类型的第一外延层，其在衬底层的顶面上；一个与第一导电类型相反的第二导电类型的第二外延层，该第二外延层在第一外延层的顶面上；一个第二导电类型的深掩埋植入区，该深掩埋植入区在高压器件的区域中；一个第二导电类型的掩埋植入区，该掩埋植入区在低压器件的区域中；以及，一个第一导电类型的第一掺杂阱，其从第二外延层的顶面开始延伸到深掩埋植入区上方；以及一个第一导电类型的第二掺杂阱，其从第二外延层的顶面开始延伸到掩埋植入区上方。
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