[发明专利]一种具有欧姆接触保护层的碳化硅器件及其制作方法无效
| 申请号： | 201210345298.0 | 申请日： | 2012-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102832238A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 何志;郑柳;刘胜北;黄亚军;樊中朝;季安;杨富华;孙国胜;欧阳忠 | 申请（专利权）人： | 东莞市天域半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L21/04 |
| 代理公司： | 广州市南锋专利事务所有限公司 44228 | 代理人： | 罗晓聪 |
| 地址： | 523000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有欧姆接触保护层的碳化硅器件及其制作方法。该器件包括：碳化硅、在碳化硅表面沉积的欧姆接触层、以及在欧姆接触层上沉积的保护层，所述的保护层为氮化钛。该制作方法包括：一、提供具有洁净表面的碳化硅；二、在碳化硅表面上淀积欧姆接触层；三、在欧姆接触层上淀积氮化钛，形成欧姆接触的保护层；四、对器件进行退火。本发明应用氮化钛（TiN）作为欧姆接触的保护层。首先，TiN在高温下很好的抗氧化性能，可以防止欧姆接触退火以及后续的工艺的过程中欧姆接触部分氧化失效。其次，室温下TiN具有很高的化学稳定性，最后，TiN的硬度高，机械性能好，可以对欧姆接触层形成很好的防护作用，防止各种物理作用对欧姆接触的损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 欧姆 接触 保护层 碳化硅 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种具有欧姆接触保护层的碳化硅器件，其特征在于：该器件包括：碳化硅（1）、在碳化硅（1）表面沉积的欧姆接触层（2）、以及在欧姆接触层（2）上沉积的保护层（3），所述的保护层（3）为氮化钛。
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