[发明专利]一种具有欧姆接触保护层的碳化硅器件及其制作方法

权利要求书

1.一种具有欧姆接触保护层的碳化硅器件，其特征在于：该器件包括：碳化硅（1）、在碳化硅（1）表面沉积的欧姆接触层（2）、以及在欧姆接触层（2）上沉积的保护层（3），所述的保护层（3）为氮化钛。

2.根据权利要求1所述的一种具有欧姆接触保护层的碳化硅器件，其特征在于：所述的碳化硅（1）用于形成欧姆接触的表面采用N型掺杂或者P型掺杂，掺杂浓度至少为1×10¹⁵cm^-3。

3.根据权利要求1所述的一种具有欧姆接触保护层的碳化硅器件，其特征在于：所述的欧姆接触层（2）所淀积的物质为金属、合金以及化合物中的一种或者几种。

4.一种具有欧姆接触保护层的碳化硅器件的制作方法，其特征在于：该制作方法包括以下步骤：

步骤一：提供具有洁净表面的碳化硅（1）；

步骤二：在碳化硅（1）表面上淀积欧姆接触层（2）；

步骤三：在欧姆接触层（3）上淀积氮化钛，形成欧姆接触的保护层（3）；

步骤四：对器件进行退火，最终形成具有欧姆接触保护层（3）的碳化硅器件。

5.根据权利要求4所述的一种具有欧姆接触保护层的碳化硅器件的制作方法，其特征在于：所述步骤一中碳化硅（1）用于形成欧姆接触的表面采用N型掺杂或者P型掺杂，其掺杂浓度至少为1×10¹⁵cm^-3。

6.根据权利要求4所述的一种具有欧姆接触保护层的碳化硅器件的制作方法，其特征在于：所述步骤二中所淀积的欧姆接触层（2）所淀积的物质为金属、合金以及化合物中的一种或者几种。

7.根据权利要求4所述的一种具有欧姆接触保护层的碳化硅器件的制作方法，其特征在于：所述步骤三中淀积的氮化钛厚度为100—5000埃。

8.根据权利要求4所述的一种具有欧姆接触保护层的碳化硅器件的制作方法，其特征在于：所述步骤三中氮化钛淀积采用直流磁控溅射、反应磁控溅射、射频磁控溅射、低压化学汽相淀积、金属有机物化学气相淀积、离子束辅助沉积法中任意一种方法。

9.根据权利要求4所述的一种具有欧姆接触保护层的碳化硅器件的制作方法，其特征在于：所述步骤四中退火温度范围为300—1200℃，并且退火在惰性气体的保护气氛中进行。

10.根据权利要求9所述的一种具有欧姆接触保护层的碳化硅器件的制作方法，其特征在于：所述的惰性气体为：N₂或Ar。