[发明专利]测试MOS器件温度特性的结构及方法有效
| 申请号： | 201210342022.7 | 申请日： | 2012-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN102841300A | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | 何燕冬;张钢刚;刘晓彦;张兴 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种测试MOS器件温度特性的结构及方法，所述结构包括：一个自带加热结构的待测试MOS器件和一个PN结，所述加热结构为围绕在MOS器件和PN结周围，且在一侧有开口的框型电阻结构。通过利用加热结构快速升温的特点，对MOS器件的局部进行加热，使得升温效果显著加快；只在进行一次温度校准后，通过改变施加在加热结构两端的电流或者电压，使得MOS器件的温度特性的测试一次性就能够完成，提高了温度特性测试的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 mos 器件 温度 特性 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种测试MOS器件温度特性的结构，其特征在于，所述结构包括：加热结构、待测试的MOS器件和PN结，所述加热结构为一侧有开口的框型电阻结构，所述MOS器件和所述PN结位于所述加热结构内部。
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