[发明专利]测试MOS器件温度特性的结构及方法

权利要求书

1.一种测试MOS器件温度特性的结构，其特征在于，所述结构包括：加热结构、待测试的MOS器件和PN结，所述加热结构为一侧有开口的框型电阻结构，所述MOS器件和所述PN结位于所述加热结构内部。

2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述MOS器件的衬底和源极、所述PN结的N端以及加热结构的一端共接低电位，所述加热结构的另一端接高电位。

3.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述PN结用于进行温度校准。

4.一种测试MOS器件温度特性的方法，其特征在于，包括：

A：利用PN结和外部温控进行第一温度校准，测量在不同温度下PN结的电流，得到PN结第一电流与外部温控温度的第一关系；

B：利用PN结和加热结构进行第二温度校准，通过改变施加在加热结构两端的电流或电压，同时测量所述PN结的电流，得到PN结第二电流和加热结构两端的电流或电压的第二关系；

C：当PN结第一电流和第二电流一致时，根据第一关系和第二关系，得到加热结构电流或电压与外部温控温度的第三关系；

D：在MOS器件的栅极、漏极、衬底和源极端加上固定电压，并对加热结构两端的电流或电压进行线性改变，同时对MOS器件的漏极端电流进行测量，根据加热结构两端的电流或电压与外部温控温度的第三关系得到MOS器件温度特性。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，通过改变MOS器件栅极上的电压，得到MOS器件不同状态下的温度特性。