[发明专利]一种制备顶层金属互联工艺刻蚀中间停止层的方法

摘要

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种制备顶层金属互联工艺刻蚀中间停止层的方法。本发明提出一种制备顶层金属互联工艺刻蚀中间停止层的方法，通过在原有的顶层金属双大马士革工艺基础上去掉了氮化硅薄膜层的淀积工艺，而引入了离子注入氮（N）或者其他元素的工艺的方法，从而将二氧化硅薄膜转化成氮化硅薄膜或者其他类似的薄膜，以作为顶层金属沟槽刻蚀的停止层，不仅不需要进行中间停止层氮化硅薄膜的沉积，还避免了氧化硅薄膜和氮化硅薄膜由于应力差而造成开裂的可能性，同时降低了金属层间的寄生电容。

主权项

一种制备顶层金属互联工艺刻蚀中间停止层的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：在一制备有底部金属槽的衬底薄膜的上表面，从上至下顺序依次沉积刻蚀停止层和介电质层；步骤S2：采用光刻、刻蚀工艺，刻蚀所述介电质层至所述刻蚀停止层中，形成通孔；步骤S3：沉积底部抗反射涂层充满所述通孔并覆盖剩余介电质层的上表面，去除多余底部抗反射涂层，剩余底部抗反射涂层部分填充所述通孔；步骤S4：涂布光刻胶覆盖所述剩余底部抗反射涂层和所述剩余介电质层的上表面，曝光、显影后，去除多余光刻胶，形成具有顶层金属沟槽结构的光阻；步骤S5：对所述剩余介电质层进行离子注入工艺，将部分剩余介电质层转变为氮化硅薄膜；步骤S6：以所述光阻为掩膜刻蚀所述氮化硅薄膜，去除所述光阻，形成顶部金属沟槽后，去除所述剩余底部抗反射涂层和所述通孔底部剩余的刻蚀停止层至底部金属槽的上表面；其中，所述介电质层的材质为聚氧化乙烯。