[发明专利]一种制备顶层金属互联工艺刻蚀中间停止层的方法有效
| 申请号： | 201210341630.6 | 申请日： | 2012-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102891103A | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | 徐灵芝;徐强;张文广;郑春生 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 顶层 金属 工艺 刻蚀 中间 停止 方法 | ||
1.一种制备顶层金属互联工艺刻蚀中间停止层的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1：在一制备有底部金属槽的衬底薄膜的上表面，从上至下顺序依次沉积刻蚀停止层和介电质层；
步骤S2：采用光刻、刻蚀工艺，刻蚀所述介电质层至所述刻蚀停止层中，形成通孔；
步骤S3：沉积底部抗反射涂层充满所述通孔并覆盖剩余介电质层的上表面，去除多余底部抗反射涂层，剩余底部抗反射涂层部分填充所述通孔；
步骤S4：涂布光刻胶覆盖所述剩余底部抗反射涂层和所述剩余介电质层的上表面，曝光、显影后，去除多余光刻胶，形成具有顶层金属沟槽结构的光阻；
步骤S5：对所述剩余介电质层进行离子注入工艺，将部分剩余介电质层转变为氮化硅薄膜；
步骤S6：以所述光阻为掩膜刻蚀所述氮化硅薄膜，去除所述光阻，形成顶部金属沟槽后，去除所述剩余底部抗反射涂层和所述通孔底部剩余的刻蚀停止层至底部金属槽的上表面；
其中，所述介电质层的材质为聚氧化乙烯。
2.根据权利要求1所述的制备顶层金属互联工艺刻蚀中间停止层的方法，其特征在于，所述衬底薄膜的材质为碳硅氧氢化物或聚氧化乙烯。
3.根据权利要求1所述的制备顶层金属互联工艺刻蚀中间停止层的方法，其特征在于，所述刻蚀停止层的材质为掺碳氮化硅。
4.根据权利要求1所述的制备顶层金属互联工艺刻蚀中间停止层的方法，其特征在于，所述介电质层的材质为SiO2。
5.根据权利要求1所述的制备顶层金属互联工艺刻蚀中间停止层的方法，其特征在于，所述离子注入工艺中注入的元素包含有氮元素。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210341630.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
