[发明专利]阵列式高压LED器件的制作方法

摘要

一种阵列式高压LED器件的制作方法，包括：在外延结构的P型氮化镓层上制作掩膜，选择性刻蚀外延结构，形成N型台阶结构；在外延结构的N型氮化镓层的表面制作掩膜，形成隔离的深槽；进行高温硫磷酸腐蚀；在刻蚀后的外延结构的表面沉积绝缘介质层；腐蚀掉深槽侧壁以外的绝缘介质层；在相邻的各N型台阶结构之间制作透明导电层；部分腐蚀掉最外侧的N型台阶结构上面的P型氮化镓层表面的透明导电层；在其上制作P金属电极和N金属电极。本发明可以减少电极吸光，增加芯片外延的侧面与底部出光面积，与后工艺相互配合，可以提高高压发光二极管芯片的发光效率。

主权项

一种阵列式高压LED器件的制作方法，包括以下步骤：步骤1：取外延结构，该外延结构包括衬底、N型氮化镓层、有源层和P型氮化镓层；步骤2：采用光刻的方法，在外延结构的P型氮化镓层上制作掩膜，选择性刻蚀外延结构，刻蚀深度至N型氮化镓层的表面，在N型氮化镓层上形成N型台阶结构；步骤3：采用光刻的方法，在暴露的外延结构的N型氮化镓层的表面制作掩膜，刻蚀暴露的部分N型氮化镓层，刻蚀深度至衬底的表面，形成隔离的深槽；步骤4：将刻蚀后的外延结构进行高温硫磷酸腐蚀；步骤5：在刻蚀后的外延结构的表面沉积绝缘介质层；步骤6：采用光刻的方法，腐蚀掉深槽侧壁以外的绝缘介质层；步骤7：在相邻的各N型台阶结构之间制作透明导电层，该透明导电层一端覆盖外延结构上的N型氮化镓层，另一端覆盖P型氮化镓层；步骤8：采用光刻的方法，部分腐蚀掉最外侧的N型台阶结构上面的P型氮化镓层表面的透明导电层；步骤9：在最外侧的N型台阶结构上面的P型氮化镓层的表面制作P金属电极；步骤10：在另一最外侧的N型台阶结构上面的N型氮化镓层的表面制作N金属电极。