[发明专利]阵列式高压LED器件的制作方法

权利要求书

1.一种阵列式高压LED器件的制作方法，包括以下步骤：

步骤1：取外延结构，该外延结构包括衬底、N型氮化镓层、有源层和P型氮化镓层；

步骤2：采用光刻的方法，在外延结构的P型氮化镓层上制作掩膜，选择性刻蚀外延结构，刻蚀深度至N型氮化镓层的表面，在N型氮化镓层上形成N型台阶结构；

步骤3：采用光刻的方法，在暴露的外延结构的N型氮化镓层的表面制作掩膜，刻蚀暴露的部分N型氮化镓层，刻蚀深度至衬底的表面，形成隔离的深槽；

步骤4：将刻蚀后的外延结构进行高温硫磷酸腐蚀；

步骤5：在刻蚀后的外延结构的表面沉积绝缘介质层；

步骤6：采用光刻的方法，腐蚀掉深槽侧壁以外的绝缘介质层；

步骤7：在相邻的各N型台阶结构之间制作透明导电层，该透明导电层一端覆盖外延结构上的N型氮化镓层，另一端覆盖P型氮化镓层；

步骤8：采用光刻的方法，部分腐蚀掉最外侧的N型台阶结构上面的P型氮化镓层表面的透明导电层；

步骤9：在最外侧的N型台阶结构上面的P型氮化镓层的表面制作P金属电极；

步骤10：在另一最外侧的N型台阶结构上面的N型氮化镓层的表面制作N金属电极。

2.根据权利要求1所述的阵列式高压LED器件的制作方法，其中衬底的材料为蓝宝石、硅、碳化硅或氮化镓，该衬底为图形化衬底。

3.根据权利要求1所述的阵列式高压LED器件的制作方法，其中所述刻蚀方法为感应耦合等离子体刻蚀。

4.根据权利要求1所述的阵列式高压LED器件的制作方法，其中步骤3中的掩膜为厚胶或二氧化硅与普通胶的双重掩膜；厚胶掩膜的厚度为 8-20um。

5.根据权利要求1所述的阵列式高压LED器件的制作方法，其中深槽的深度为外延结构上面的N型氮化镓层、有源层和P型氮化镓层的厚度之和，深槽的宽度在10-50um之间。

6.根据权利要求1所述的阵列式高压LED器件的制作方法，其中高温硫磷酸的腐蚀温度为150-350℃，硫磷酸溶液的体积的配比比例为1∶1-5∶1。

7.根据权利要求1所述的阵列式高压LED器件的制作方法，其中绝缘介质层为二氧化硅、氮化硅或聚酰亚胺材料中的一种或任意多种组合，厚度为0.5μm-10μm。

8.根据权利要求7所述的阵列式高压LED器件的制作方法，其中绝缘介质层是采用等离子体增强化学气相沉积、溅射或旋涂烘焙的方法制备。

9.根据权利要求1所述的阵列式高压LED器件的制作方法，其中透明导电层的材料为氧化铟锡或氧化锌材料中的一种或及其组合，厚度为100nm-1μm。

10.根据权利要求8所述的阵列式高压LED器件的制作方法，其中透明导电层中的氧化铟锡的制作方法为电子束蒸镀。

11.根据权利要求1所述的阵列式高压LED器件的制作方法，其中P金属电极和N金属电极的材料相同，选自于包括Ti、Au、Pt、Al、Ni、Cr或任意组合。