[发明专利]空气桥电极互联阵列式LED器件的制作方法

摘要

一种空气桥电极互联阵列式LED器件的制作方法，包括：选择性刻蚀外延结构上的N型氮化镓层，形成N型台阶，制作掩膜，形成隔离的深槽；沉积绝缘介质层，腐蚀掉深槽侧壁以外的绝缘介质层；在外延结构表面制作一层薄膜材料；制作掩膜，去掉除深槽以外的薄膜材料，使深槽中填满薄膜材料；在外延结构的上表面，通过旋涂光刻胶，制作掩膜；将电极图形转移到外延结构和薄膜材料上；制作金属层；采用lift-off工艺，形成金属电极；将深槽内的薄膜材料去掉形成悬空的桥型电极互联结构。其可解决侧壁的金属电极很薄导致的电压增高问题，可有效的增加出光面积，而且避免因钝化失效造成的短路现象，增加可靠性。

主权项

一种空气桥电极互联阵列式LED器件的制作方法，包括以下步骤：步骤1：取外延结构，该外延结构包括衬底、N型氮化镓层、有源层和P型氮化镓层；步骤2：采用光刻的方法制作掩膜，选择性刻蚀至外延结构上的N型氮化镓层，形成N型台阶，在外延结构的表面再次制作掩膜，将部分N型氮化镓层刻蚀至衬底，形成隔离的深槽；步骤3：在外延结构的上表面沉积绝缘介质层，采用光刻的方法，腐蚀掉深槽侧壁以外的绝缘介质层；步骤4：在外延结构表面制作一层薄膜材料；步骤5：采用光刻的方法制作掩膜，去掉除深槽以外的薄膜材料，使深槽中填满薄膜材料；步骤6：采用光刻的方法，在制作有薄膜材料的外延结构的上表面，通过旋涂光刻胶，制作掩膜；步骤7：采用曝光、显影工艺将电极图形转移到外延结构和薄膜材料上；步骤8：采用蒸镀的方法，制作金属层；步骤9：采用lift‑off工艺，形成金属电极；步骤10：通过浸泡或腐蚀的方法，将深槽内的薄膜材料去掉形成悬空的桥型电极互联结构。