[发明专利]具有低电阻率和高化学惰性的Cu-Ni-Nb三元合金薄膜及其制备工艺无效
| 申请号： | 201210337376.2 | 申请日： | 2012-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN102808150A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 李晓娜;刘立筠;董闯 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/14 | 分类号： | C23C14/14;C23C14/35 |
| 代理公司： | 大连星海专利事务所 21208 | 代理人： | 花向阳 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种具有低电阻率和高化学惰性的Cu-Ni-Nb三元合金薄膜及其制备工艺，属于新材料领域。在基于稳定固溶体的团簇模型指导下，确定Cu膜合金化元素的选择以及添加量，综合考虑了混合焓、团簇结构以及原子半径尺寸等因素，形成具有较高的热稳性和较低的化学反应活性的固溶体合金薄膜。固溶体结构避免了由于溶质元素大量析出导致的电阻率升高；大原子半径元素Nb的引入能够有效的阻挡Cu与周围介质之间的互扩散，与第二组元Ni的成比例添加可以使Nb的添加量大幅度降低，从而较大程度的削减了大原子本身造成的电子散射效应，有利于稳定Cu膜同时保证其电阻率受到最小的影响。可以期待该类合金同时具有扩散阻挡作用和高温稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电阻率 化学 惰性 cu ni nb 三元 合金 薄膜 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种具有低电阻率和高化学惰性的Cu‑Ni‑Nb三元合金薄膜，其特征在于：向Cu膜中添加一定原子百分比的Ni和Nb， Ni作为固溶元素，Nb作为扩散阻挡元素；Nb与Cu呈正混合焓3 kJ/mol，与Ni呈负混合焓‑30 kJ/mol；Nb/Ni的添加比例保持原子百分比比例范围为0.02~0.70%；NiNb添加总量的原子百分比为0.20~1.50%。
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