[发明专利]一种半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201210336591.0 | 申请日： | 2012-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN103681462A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;胡敏达 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成一蚀刻停止层和一层间介电层；形成用于填充互连金属的沟槽和通孔；采用等离子体蚀刻工艺去除所述通孔下方的蚀刻停止层，其中所述去除过程包括：先执行一后蚀刻处理过程，以去除形成在所述沟槽和所述通孔中的蚀刻残留物质和杂质；再采用基于CF4、CO2和CO的蚀刻气体执行所述等离子体蚀刻。根据本发明，在蚀刻所述通孔下方的蚀刻停止层时，对所述层间介电层的损伤很小，且在所述通孔的底部不会形成所述后蚀刻处理难以去除的物质，保证所述通孔的侧壁和底部的表面平整度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成一蚀刻停止层和一层间介电层；形成用于填充互连金属的沟槽和通孔；采用等离子体蚀刻工艺去除所述通孔下方的蚀刻停止层，其中所述去除过程包括：先执行一后蚀刻处理过程，以去除形成在所述沟槽和所述通孔中的蚀刻残留物质和杂质；再采用基于CF4、CO2和CO的蚀刻气体执行所述等离子体蚀刻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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