[发明专利]薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201210335082.6 | 申请日： | 2012-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN103208515A | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | 蓝纬洲;辛哲宏;王裕霖;叶佳俊 | 申请（专利权）人： | 元太科技工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L29/51;H01L29/786 |
| 代理公司： | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人： | 杨波 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管，适于配置在基板上，且此薄膜晶体管包括闸极、有机闸绝缘层、金属氧化物半导体层、源极与汲极。闸极配置于基板上。有机闸绝缘层配置于基板上以覆盖闸极。源极、汲极与金属氧化物半导体层配置于有机闸绝缘层上方，且金属氧化物半导体层接触源极与汲极。由于此薄膜晶体管无须以高温制成，因而具有广泛的应用性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管， 适于配置于一基板上，其特征在于：该薄膜晶体管包括一闸极、一有机闸绝缘层、一源极与一汲极以及一金属氧化物半导体层；该闸极配置于该基板上；该有机闸绝缘层配置于该基板上以覆盖该闸极；该源极与该汲极配置于该有机闸绝缘层的上方；该金属氧化物半导体层配置于该有机闸绝缘层的上方并接触该源极与该汲极。
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