[发明专利]薄膜晶体管有效

申请号：	201210335082.6	申请日：	2012-09-11
公开（公告）号：	CN103208515A	公开（公告）日：	2013-07-17
发明（设计）人：	蓝纬洲;辛哲宏;王裕霖;叶佳俊	申请（专利权）人：	元太科技工业股份有限公司
主分类号：	H01L29/24	分类号：	H01L29/24;H01L29/51;H01L29/786
代理公司：	上海波拓知识产权代理有限公司 31264	代理人：	杨波
地址：	中国台湾新竹***	国省代码：	中国台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	薄膜晶体管
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【权利要求书】：

1.一种薄膜晶体管，适于配置于一基板上，其特征在于：该薄膜晶体管包括一闸极、一有机闸绝缘层、一源极与一汲极以及一金属氧化物半导体层；该闸极配置于该基板上；该有机闸绝缘层配置于该基板上以覆盖该闸极；该源极与该汲极配置于该有机闸绝缘层的上方；该金属氧化物半导体层配置于该有机闸绝缘层的上方并接触该源极与该汲极。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于：该金属氧化物半导体层的材质包括氧化铟镓锌(InGaZnO)或氧化铟锌(InZnO)其中之一或其结合。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于：该有机闸绝缘层的材质包括可挠式有机材料。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于：该有机闸绝缘层的材质包括有机聚合物。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，更包括一阻隔层，配置于该金属氧化物半导体层与该有机闸绝缘层之间。

6.如权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于：该阻隔层的材质包括氧化硅。

7.一种薄膜晶体管，适于配置于一基板上，其特征在于：该薄膜晶体管包括一源极与一汲极、一金属氧化物半导体层、一有机闸绝缘层及一闸极；该源极与该汲极配置于该基板上；该金属氧化物半导体层配置于该基板的上方并覆盖该源极与该汲极；该有机闸绝缘层配置于该金属氧化物半导体层上；该闸极配置于该有机闸绝缘层上。

8.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于：该金属氧化物半导体层的材质包括氧化铟镓锌(InGaZnO)或氧化铟锌(InZnO)其中之一或其结合。

9.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于：该有机闸绝缘层的材质包括可挠式有机材料。

10.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于：该有机闸绝缘层的材质包括有机聚合物。

11.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于：该薄膜晶体管更包括一阻隔层，该阻隔层配置于该金属氧化物半导体层与该有机闸绝缘层之间。

12.如权利要求11所述的薄膜晶体管，其特征在于：该阻隔层的材质包括氧化硅。

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