[发明专利]NLDMOS器件及制造方法

摘要

本发明公开了一种NLDMOS器件，在器件漏端增加了一道P型注入，使漏端同时具有重掺杂P型区和重掺杂N型区，重掺杂P型区可增加漏端的空穴电流，同时重掺杂N型区可避免由于增加重掺杂P型区所形成的PN结开启电压，使器件输出特性曲线通过漏端电压的零点，NLDMOS的漏端由重掺杂N型区和重掺杂P型区共同引出形成，使器件导通电流增加，降低了器件的导通电阻。本发明还公开了所述NLDMOS器件的制造方法，可集成在BCD工艺中。

主权项

一种NLDMOS器件，其特征在于：在P型硅衬底上具有N型埋层，N型埋层之上为N型深阱；所述NLDMOS器件的多晶硅栅极，位于N型深阱之上的硅表面，且与硅表面之间间隔一层栅氧化层，多晶硅栅极及栅氧化层两端均具有氧化物侧墙；所述多晶硅栅极一侧的N型深阱中，具有一P型阱，所述P型阱一侧位于栅氧化层下方的N型深阱中，另一侧位于一场氧下，P型阱中具有第一重掺杂P型区及第一重掺杂N型区，且第一重掺杂P型区与第一重掺杂N型区之间间隔一场氧，所述第一重掺杂N型区位于栅极侧墙下，第一重掺杂N型区作为LDMOS器件的源区引出；所示多晶硅栅极的另一侧N型深阱中，一场氧位于该侧栅极侧墙下，其与另一场氧之间具有一漏端N型阱，所述漏端N型阱中，具有注入形成的第二重掺杂P型区和与之抵靠接触的第二重掺杂N型区，所述第二重掺杂P型区和第二重掺杂N型区共同作为LDMOS器件的漏区引出；在器件表面具有多个接触孔及引线引出第一重掺杂P型区、第一重掺杂N型区、第二重掺杂P型区、第二重掺杂N型区，且第二重掺杂P型区和第二重掺杂N型区的接触孔连接同一引线作为LDMOS的漏极。