[发明专利]具有复合结构的横向双极型晶体管有效

专利信息
申请号: 201210330959.2 申请日: 2012-09-09
公开(公告)号: CN103681809A 公开(公告)日: 2014-03-26
发明(设计)人: 崔京京;张作钦 申请(专利权)人: 苏州英能电子科技有限公司
主分类号: H01L29/735 分类号: H01L29/735;H01L29/06
代理公司: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 代理人: 张建纲
地址: 215163 江苏省苏州市苏州高*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种具有复合结构的横向双极型晶体管,其具体包括衬底;设置于衬底上的第一RESURF区;依次设置的集电区、基区以及发射区;所述发射区上设置有发射极,用于平缓漂移区电场变化的第二RESURF区以及在所述集电区的欧姆接触区周围成形的多个浮置环,所述浮置环位于所述集电区表面,并靠近所述欧姆接触区;通过设置第二RESURF区,可以使得横向双极型晶体管漂移区的电场变得平缓,同时降低整个器件的比导通电阻;所述浮置环自身存在的空间电荷与所述集电区漂移区内空间电荷去连成一片,增加了漂移区空间电荷的面积,大大减缓了空间电场在所述集电区的欧姆接触区边缘的聚集,使得相同漂移区长度可以承担更高的阻断电压。
搜索关键词: 具有 复合 结构 横向 双极型 晶体管
【主权项】:
一种具有复合结构的横向双极型三极管,包括:衬底;设置于衬底上的第一RESURF区;依次设置的集电区、基区以及发射区;其中,所述基区内形成有基区欧姆接触区,所述基区欧姆接触区上设置有基极;所述集电区内形成有集电区欧姆接触区,所述集电区欧姆接触区上设置有集电极;所述发射区上设置有发射极,其特征在于,还包括:用于平缓漂移区电场变化的第二RESURF区;以及在所述集电区的欧姆接触区周围成形的多个浮置环,所述浮置环位于所述集电区表面,并靠近所述欧姆接触区。
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