[发明专利]具有复合结构的横向双极型晶体管有效
| 申请号： | 201210330959.2 | 申请日： | 2012-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN103681809A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 崔京京;张作钦 | 申请（专利权）人： | 苏州英能电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/735 | 分类号： | H01L29/735;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 张建纲 |
| 地址： | 215163 江苏省苏州市苏州高*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 复合 结构 横向 双极型 晶体管 | ||
1.一种具有复合结构的横向双极型三极管，包括：衬底;
设置于衬底上的第一RESURF区；
依次设置的集电区、基区以及发射区；其中，所述基区内形成有基区欧姆接触区，所述基区欧姆接触区上设置有基极；所述集电区内形成有集电区欧姆接触区，所述集电区欧姆接触区上设置有集电极；所述发射区上设置有发射极，其特征在于，还包括：
用于平缓漂移区电场变化的第二RESURF区；
以及在所述集电区的欧姆接触区周围成形的多个浮置环，所述浮置环位于所述集电区表面，并靠近所述欧姆接触区。
2.根据权利要求1所述的具有复合结构的横向双极型三极管，其特征在于：还包括设置在所述集电区、所述基区、所述发射区外部的氧化层，以及在所述基区、所述集电区或者所述发射区中的一个或多个上设置的场板。
3.根据权利要求1或2所述的具有复合结构的横向双极型三极管，其特征在于：所述第二RESURF区通过离子注入形成在所述集电区内。
4.根据权利要求1-3任一所述的具有复合结构的横向双极型晶体管，其特征在于：所述第二RESURF区长度为所述横向双极型晶体管漂移区长度的三分之二。
5.根据权利要求1-4任一所述的具有复合结构的横向双极型晶体管，其特征在于：所述第二RESURF区为P型RESURF区。
6.根据权利要求1-5任一所述的具有复合结构的横向双极型晶体管，其特征在于：
所述衬底为碳化硅衬底；
所述第一RESURF区为设置在所述碳化硅衬底上表面的碳化硅外延层；
所述集电区为设置于所述第一RESURF区上表面的N型集电区；
所述基区为设置于所述N型集电区上表面的P型基区；
所述发射区为设置在所述P型基区上表面的N型发射区。
7.根据权利要求1-6任一所述的具有复合结构的横向双极型晶体管，其特征在于：
所述衬底为氮化镓衬底；
所述第一RESURF区为设置在所述氮化镓衬底上表面的氮化镓外延层；
所述集电区为设置于所述第一RESURF区上表面的N型集电区；
所述基区为设置于所述N型集电区上表面的P型基区；
所述发射区为设置在所述P型基区上表面的N型发射区。
8.根据权利要求1-7任一所述的具有复合结构的横向双极型晶体管，其特征在于：所述第一RESURF区为P型RESURF区。
9.根据权利要求1-8任一所述的具有复合结构的横向双极型晶体管，其特征在于：所述浮置环设置40个。
10.根据权利要求1-9任一所述的具有复合结构的横向双极型晶体管，其特征在于：所述浮置环在所述集电区的欧姆接触区周围均匀设置。
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