[发明专利]带有自对准接触孔的半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201210330895.6 | 申请日： | 2012-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN103681604A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;余刚 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种带有自对准接触孔的半导体器件及其制备方法。该带有自对准接触孔的半导体器件包括：半导体衬底、至少两条金属栅极、刻蚀阻挡层以及介质层，刻蚀阻挡层形成于金属栅极的表面上，包括第一刻蚀阻挡层和第二刻蚀阻挡层，介质层形成于刻蚀阻挡层上，包括第一介质层和第二介质层。在本申请中通过形成金属栅极上表面低于第一刻蚀阻挡层上表面的结构，使得金属栅极与第一刻蚀阻挡层之间产生高度差。并在由金属栅极上表面和第一刻蚀阻挡层相对金属栅极上表面之间形成的第一凹槽内填充第二刻蚀阻挡层，提高了金属栅极上部的防刻蚀能力。避免在制备自对准接触孔的过程中，暴露金属栅极造成自对准接触孔和金属栅极之间连通短路的现象。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 对准 接触 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种带有自对准接触孔的半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底（1）；至少两条金属栅极（3），形成在所述半导体衬底（1）上；刻蚀阻挡层（5），形成于所述金属栅极（3）的表面上，包括第一刻蚀阻挡层（51）和第二刻蚀阻挡层（53），所述第一刻蚀阻挡层（51）沿所述金属栅极（3）的两个侧表面向上延伸，且上表面高于所述金属栅极（3）的上表面；各所述金属栅极（3）的上表面和位于所述金属栅极（3）两侧的第一刻蚀阻挡层（51）高于所述金属栅极（3）上表面的部分的内表面之间形成第一凹槽，所述第二刻蚀阻挡层（53）形成于所述第一凹槽内部，沿所述金属栅极（3）的上表面延伸；介质层（7），形成于所述刻蚀阻挡层（5）上，包括第一介质层（71）和第二介质层（73），所述第一介质层（71），形成于所述第一刻蚀阻挡层（51）上，且该第一介质层（71）的上表面与所述第一刻蚀阻挡层（51）的上表面齐平，所述第二介质层（73），连续形成于所述第一刻蚀阻挡层（51）、所述第二刻蚀阻挡层（53）、以及所述第一介质层（71）的上表面上；自对准接触孔，形成于所述介质层（7）中，且所述自对准接触孔的底部位于相邻两条所述金属栅极（3）之间。
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