[发明专利]透明导电性薄膜的制造方法有效
| 申请号： | 201210330181.5 | 申请日： | 2012-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN103000299A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 山崎由佳;梨木智刚 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;H01B5/14 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供可以缩短用于使具有铟系复合氧化物的非晶质层结晶化的加热时间的透明导电性薄膜的制造方法。本发明的透明导电性薄膜的制造方法具备如下工序：第1工序，在厚度为10～50μm的薄膜基材的第一表面上层叠由铟系复合氧化物形成的非晶质层；第2工序，在利用输出辊输送层叠有上述非晶质层的薄膜基材并在卷绕辊上卷绕的中途，将该薄膜基材在160℃以上的温度下加热，使上述非晶质层结晶化而形成透明导体层；第3工序，在上述薄膜基材的第二表面上形成粘合剂层。 | ||
| 搜索关键词： | 透明 导电性 薄膜 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种透明导电性薄膜的制造方法，其具备如下工序：第1工序，在厚度为10～50μm的薄膜基材的第一表面上层叠由铟系复合氧化物形成的非晶质层；第2工序，在利用输出辊输送层叠有所述非晶质层的薄膜基材并在卷绕辊上卷绕的中途，将该薄膜基材在160℃以上的温度下加热，使所述非晶质层结晶化而形成透明导体层；第3工序，在所述薄膜基材的第二表面上形成粘合剂层。
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