[发明专利]透明导电性薄膜的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及透明导电性薄膜的制造方法。

背景技术

迄今为止，提出有在厚度25μm左右的较薄的薄膜基材的一个面上形成有透明导体层的透明导电性薄膜(例如，专利文献1)。形成于该薄膜上的透明导体层是如下所述形成的。首先，在薄膜基材的一个面上层叠由铟系复合氧化物形成的非晶质层并对其进行加热而发生结晶化，由此形成透明导体层。这时，由于薄膜基材的厚度小，因此，有因加热而导致薄膜基材产生皱褶之虞。因此，在制造上述透明导电性薄膜时，在薄膜基材的一个面上形成非晶质层后，在薄膜基材的另一个面上层叠粘合剂层和脱模膜以增大薄膜整体的厚度，然后将其在140℃左右的低温下进行加热。这样可防止透明导电性薄膜产生皱褶。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-251529号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，如上所述在低温下进行加热时，存在加热时间延长的问题，专利文献1中记载的是需要90分钟左右的时间。本发明是为了解决上述问题而完成的，其目的在于，提供可以缩短用于使由铟系复合氧化物形成的非晶质层结晶化的加热时间的透明导电性薄膜的制造方法。

用于解决问题的方案

本发明的透明导电性薄膜的制造方法具备如下工序：第1工序，在厚度为10～50μm的薄膜基材的第一表面上层叠由铟系复合氧化物形成的非晶质层；第2工序，在输出辊和卷绕辊之间输送层叠有所述非晶质层的薄膜基材的中途，将该薄膜基材在160℃以上的温度下加热，使所述非晶质层结晶化而形成透明导体层；第3工序，在所述薄膜基材的第二表面上形成粘合剂层。

根据该构成，由于将形成了铟系复合氧化物的非晶质层的薄膜基材在160℃以上进行加热，因此，可以缩短非晶质层结晶化所需要的时间。其结果，可以提高辊输送的输送速度。在该温度下，与以往例相比，可以大幅度缩短加热时间，例如，可以使其为20分钟以下。进而，通过在180～200℃下进行加热，还可以使加热时间为30秒～5分钟。另外，这时，由于薄膜基材在辊间输送，因此张力发挥作用。由此，可以防止薄膜基材产生皱褶。进而，由于在加热薄膜基材而使非晶质层结晶化后层叠粘合剂层，因此，可以避免粘合剂层被直接加热。由此，可以防止粘合剂层发生黄变。进而，在由树脂形成薄膜基材的情况下，有聚合物中的低分子量物质转移至粘合剂层而发生不良情况之虞，该构成还可以防止这些不良情况。如上所述，根据本发明的制造方法，可以得到品质优异的透明导电性薄膜。

需要说明的是，在第2工序中在输出辊和卷绕辊之间输送薄膜基材，但第1工序及第3工序也可以同样地构成。例如，可以在同一对输出辊和卷绕辊之间输送薄膜基材的过程中，进行第1工序至第3工序。或者，也可以在一对输出辊和卷绕辊之间进行第2工序后，在另外一对输出辊和卷绕辊之间进行第3工序。即，各工序中，至少一个以上工序可以使用不同的输送系统。例如，还可以用一个制造设备进行第1工序、用其他制造设备进行第2工序及第3工序。

在上述制造方法中，作为对薄膜基材进行加热的方法，有各种方法，例如，可以使薄膜基材通过室温为160℃以上的加热室。由此，可以均匀地加热薄膜基材整体。另外，在上述第2工序中，可以使加热室内的温度为180～200℃、通过加热室的时间为30秒～5分钟。需要说明的是，加热室内的温度是对薄膜基材进行加热的温度。

发明的效果

根据本发明的透明导电性薄膜的制造方法，可以缩短加热时间。

附图说明

图1是本发明的一个实施方式的透明导电性薄膜的剖面图。

图2是表示图1的透明导电性薄膜的制造方法的一部分的示意图。

图3是表示薄膜基材的加热温度和非晶质层的结晶化时间的关系的图表。

图4是表示薄膜基材的加热温度和输送时间的关系的图表。

附图标记说明

1  薄膜基材

2  透明导体层

3  粘合剂层

10  输出辊

20  卷绕辊

30  加热室

具体实施方式