[发明专利]互连电迁移的测试结构有效
申请号: | 201210328711.2 | 申请日: | 2012-09-06 |
公开(公告)号: | CN103681620A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 郑雅文 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L23/544 | 分类号: | H01L23/544;G01R31/28 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明揭示了一种互连电迁移的测试结构,该测试结构包括:下层结构,包括第一下层结构和第二下层结构;上层结构,位于所述下层结构上,所述上层结构包括第一上层电流引线、第二上层电流引线和条形的上层待测结构,所述第一上层电流引线和第二上层电流引线用于为所述上层待测结构提供电压;通孔结构,包括第一通孔结构、第二通孔结构、第三通孔结构和第四通孔结构;以及电介质,所述第一下层结构、第二下层结构、第一上层电流引线、第二上层电流引线、上层待测结构和通孔结构通过所述电介质绝缘间隔。本发明的测试结构,能准确评估上游结构的电迁移,从而保证上游结构的电迁移分析的准确性。 | ||
搜索关键词: | 互连 迁移 测试 结构 | ||
【主权项】:
一种互连电迁移的测试结构,包括:下层结构,包括第一下层结构和第二下层结构;上层结构,位于所述下层结构上,所述上层结构包括第一上层电流引线、第二上层电流引线和条形的上层待测结构,所述第一上层电流引线和第二上层电流引线用于为所述上层待测结构提供电压;通孔结构,包括第一通孔结构、第二通孔结构、第三通孔结构和第四通孔结构,其中,所述第一上层电流引线通过第一通孔结构与第一下层结构的一端连接,所述第一下层结构的另一端通过第二通孔结构与所述上层待测结构的一端连接,所述上层待测结构的另一端通过第三通孔结构与第二下层结构一端连接,所述第二下层结构的另一端通过第四通孔结构与第二上层电流引线一端连接;以及电介质,所述第一下层结构、第二下层结构、第一上层电流引线、第二上层电流引线、上层待测结构和通孔结构通过所述电介质绝缘间隔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210328711.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:射频装置封装及其制造方法
- 下一篇:桂花的快速烘焙方法