[发明专利]互连电迁移的测试结构

权利要求书

1.一种互连电迁移的测试结构，包括：

下层结构，包括第一下层结构和第二下层结构；

上层结构，位于所述下层结构上，所述上层结构包括第一上层电流引线、第二上层电流引线和条形的上层待测结构，所述第一上层电流引线和第二上层电流引线用于为所述上层待测结构提供电压；

通孔结构，包括第一通孔结构、第二通孔结构、第三通孔结构和第四通孔结构，其中，所述第一上层电流引线通过第一通孔结构与第一下层结构的一端连接，所述第一下层结构的另一端通过第二通孔结构与所述上层待测结构的一端连接，所述上层待测结构的另一端通过第三通孔结构与第二下层结构一端连接，所述第二下层结构的另一端通过第四通孔结构与第二上层电流引线一端连接；以及

电介质，所述第一下层结构、第二下层结构、第一上层电流引线、第二上层电流引线、上层待测结构和通孔结构通过所述电介质绝缘间隔。

2.如权利要求1所述的互连电迁移的测试结构，其特征在于，所述上层结构还包括若干条形的虚拟上层待测结构，所述若干虚拟上层待测结构分别位于所述上层待测结构的条形长边的两侧，所述若干虚拟上层待测结构并通过所述电介质与所述上层待测结构绝缘间隔。

3.如权利要求2所述的互连电迁移的测试结构，其特征在于，所述虚拟上层待测结构的宽度和长度均与所述上层待测结构的宽度和长度相同。

4.如权利要求1-3中任意一项所述的互连电迁移的测试结构，其特征在于，所述上层待测结构的长度大于等于100微米，宽度为0.2微米～5微米。

5.如权利要求1-3中任意一项所述的互连电迁移的测试结构，其特征在于，所述第一上层电流引线和第二上层电流引线均为条形。

6.如权利要求5所述的互连电迁移的测试结构，其特征在于，所述第一上层电流引线的宽度大于等于所述上层待测结构的宽度的3倍且小于等于设计规则的最大宽度，所述第二上层电流引线的宽度大于等于所述上层待测结构的宽度的3倍且小于等于设计规则的最大宽度。

7.如权利要求1-3中任意一项所述的互连电迁移的测试结构，其特征在于，所述第一下层结构和第二下层结构均为条形。

8.如权利要求7所述的互连电迁移的测试结构，其特征在于，所述第一下层结构的宽度大于等于所述上层待测结构的宽度的3倍且小于等于设计规则的最大宽度所述第二下层结构的宽度大于等于所述上层待测结构的宽度的3倍，且小于等于设计规则的最大宽度。

9.如权利要求1-3中任意一项中任意一项所述的互连电迁移的测试结构，其特征在于，所述第一下层结构的长度为设计规则的最小长度，所述第二下层结构的长度为设计规则的最小长度。

10.如权利要求1-3中任意一项中任意一项所述的互连电迁移的测试结构，其特征在于，所述上层结构和下层结构所在的互连层为相邻的互连层或非相邻的互连层。

11.如权利要求1-3中任意一项所述的互连电迁移的测试结构，其特征在于，所述上层结构的材料为金属或合金，所述下层结构的材料为金属或合金，所述通孔结构的材料为金属或合金。

12.如权利要求1-3中任意一项所述的互连电迁移的测试结构，其特征在于，所述电介质的材料具有小于等于4.0的介电常数，所述电介质的材料为二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或掺碳的氧化硅中的一种或几种的组合。