[发明专利]具有穿衬底通孔的半导体器件

摘要

本发明涉及一种具有在其中形成的穿衬底通孔的半导体器件。在一个或多个实施方式中，所述半导体器件包括利用构图的粘结材料接合在一起的顶部晶片和底部晶片。所述顶部晶片和所述底部晶片包括在其中形成的一个或多个集成电路。所述集成电路连接至配置在所述顶部和所述底部晶片的表面上的一个或多个导电层。形成贯穿所述顶部晶片和所述构图的粘结材料的过孔，使得可以在形成在所述顶部晶片中的所述集成电路与形成在所述底部晶片中的所述集成电路之间形成电互连。所述过孔包括在所述顶部与所述底部晶片之间提供电互连的导电材料。

主权项

一种半导体器件，包括：顶部衬底，具有第一表面和第二表面，所述顶部晶片包括设置在所述第二表面上的导电层；底部衬底，具有第一表面、设置在所述第一表面附近的集成电路和设置在所述第一表面中的导电焊盘，所述集成电路电耦合至所述导电焊盘；构图的粘结材料，设置在所述顶部衬底的所述第一表面与所述底部衬底的所述第一表面之间，所述构图的粘结材料配置为将所述底部衬底接合至所述顶部衬底；以及过孔，贯穿所述顶部衬底和所述构图的粘结材料而形成，所述过孔包括配置为将所述底部晶片的所述导电焊盘电耦合至所述顶部晶片的所述导电层的导电材料。