[发明专利]3D闪存结构的蚀刻工艺有效
| 申请号： | 201210326111.2 | 申请日： | 2012-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN102983052A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 安妮·勒·古耶;杰弗里·R·林达;石川靖史;阳子·山口·亚当斯 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及3D闪存结构的蚀刻工艺。提供一种用于在等离子体处理腔室中在形成晶片上的堆叠的多个硅基双层上蚀刻特征的方法。使主蚀刻气体流入所述等离子体处理腔室中。使主蚀刻气体形成等离子体，同时提供第一压强。保持晶片温度低于20℃。当所述等离子体蚀刻穿所述多个硅基双层中的多个时，压强渐降到低于所述第一压强的第二压强。在所述多个双层中的第一多个被蚀刻后停止所述主蚀刻气体的流动。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 结构 蚀刻 工艺 | ||
【主权项】：
一种用于在等离子体处理腔室中在形成晶片上的堆叠的多个硅基双层上蚀刻特征的方法，所述方法包括：使主蚀刻气体流入所述等离子体处理腔室中；使所述主蚀刻气体形成等离子体，同时提供第一压强；保持晶片温度低于20℃；当等离子体蚀刻穿所述多个硅基双层中的多个时，使所述压强渐变到低于所述第一压强的第二压强；以及在所述多个双层中的第一多个蚀刻后停止所述主蚀刻气体的流动。
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