[发明专利]一种氧化硅介电材料用化学机械抛光液有效
| 申请号： | 201210324122.7 | 申请日： | 2012-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN102827549A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 王良咏;刘卫丽;宋志棠 | 申请（专利权）人： | 上海新安纳电子科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 许亦琳;余明伟 |
| 地址： | 201506 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明关于一种化学机械抛光液，尤其涉及一种氧化硅介电材料用化学机械抛光液，可有效应用于半导体中氧化硅介电材料。所述氧化硅介电材料用化学机械抛光液，含有氧化物抛光颗粒、盐组份、鳌合剂、pH调节剂及水性介质；其中以抛光液总重量为基准，上述组分的重量百分比为：氧化物抛光颗粒0.2-50wt%；盐组份，其通式为MXn，M为金属元素，X为卤素0.1-5wt%，n=1、2或3；螯合剂0.05-5wt%；余量为pH调节剂和水性介质。本发明所提供的化学机械抛光液，通过盐组份及螯合剂的独特组合，在适当的pH的条件下，大大提高了二氧化硅薄膜去除速率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 硅介电 材料 化学 机械抛光 | ||
【主权项】：
一种氧化硅介电材料用化学机械抛光液，含有氧化物抛光颗粒、盐组份、鳌合剂、pH调节剂及水性介质；其中以抛光液总重量为基准，上述组分的重量百分比为：氧化物抛光颗粒0.2‑50wt%；盐组份，其通式为MXn，M为金属元素，X为卤素0.1‑5wt%，n=1、2或3；螯合剂0.05‑5wt%；余量为pH调节剂和水性介质。
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