[发明专利]一种氧化硅介电材料用化学机械抛光液有效
| 申请号： | 201210324122.7 | 申请日： | 2012-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN102827549A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 王良咏;刘卫丽;宋志棠 | 申请（专利权）人： | 上海新安纳电子科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 许亦琳;余明伟 |
| 地址： | 201506 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 硅介电 材料 化学 机械抛光 | ||
1.一种氧化硅介电材料用化学机械抛光液，含有氧化物抛光颗粒、盐组份、鳌合剂、pH调节剂及水性介质；其中以抛光液总重量为基准，上述组分的重量百分比为：
氧化物抛光颗粒0.2-50wt%；
盐组份，其通式为MXn，M为金属元素，X为卤素0.1-5wt%，n=1、2或3；
螯合剂0.05-5wt%；
余量为pH调节剂和水性介质。
2.如权利要求1所述的一种氧化硅介电材料用化学机械抛光液，其特征在于，以抛光液总重量为基准，各组分的重量百分比为：
氧化物抛光颗粒5-30wt%；
盐组份，其通式为MXn，M为金属元素，X为卤素0.1-2wt%，n=1、2或3；
螯合剂0.1-3wt%；
余量为pH调节剂和水性介质。
3.如权利要求1所述的一种氧化硅介电材料用化学机械抛光液，其特征在于，所述氧化物抛光颗粒选自烧结氧化硅或者胶体氧化硅中的一种，粒径范围为10-1500nm。
4.如权利要求3所述的一种氧化硅介电材料用化学机械抛光液，其特征在于，所述粒径范围为20-200nm。
5.如权利要求1所述的一种氧化硅介电材料用化学机械抛光液，其特征在于，所述盐组份的化学通式为MX1，其中M选自Li、Na或K中的一种，X选自F、Cl、Br或I中的一种。
6.如权利要求1所述的一种氧化硅介电材料用化学机械抛光液，其特征在于，所述盐组份的化学通式为MX2，其中M选自Ca、Mg或Zn中的一种，X选自F、Cl、Br或I中的一种。
7.如权利要求1所述的一种氧化硅介电材料用化学机械抛光液，其特征在于，所述盐组份的化学通式为MX3，其中M选自Fe或Al中的一种，X选自F、Cl、Br或I中的一种。
8.如权利要求1所述的一种氧化硅介电材料用化学机械抛光液，其特征在于，所述的螯合剂选自草酸铵、乙酸铵、柠檬酸铵、双氧水、过硫酸铵、钼酸铵或硝酸铈铵中的一种。
9.如权利要求1所述的一种氧化硅介电材料用化学机械抛光液，其特征在于，所述的pH调节剂选自硝酸、硫酸、磷酸、氢氧化钾、羟乙基乙二氨、四甲基氢氧化氨和氨水。
10.如权利要求1所述的一种氧化硅介电材料用化学机械抛光液，其特征在于，所述水性介质为去离子水。
11.如权利要求1-10任一所述的一种氧化硅介电材料用化学机械抛光液，其特征在于，所述化学机械抛光液的pH值的范围为9-12。
12.如权利要求11所述的一种氧化硅介电材料用化学机械抛光液，其特征在于，所述化学机械抛光液的pH值的范围为10-11。
13.如权利要求1-12任一所述的一种氧化硅介电材料用化学机械抛光液在半导体中氧化硅介电材料的CMP工艺领域中的应用。
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