[发明专利]一种背沟槽结构绝缘栅双极晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201210320248.7 | 申请日： | 2012-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN103681813B | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 朱江 | 申请（专利权）人： | 朱江 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种背沟槽结构绝缘栅双极晶体管，传统绝缘栅双极晶体管的背P+发射区完全覆盖器件背面，本发明的绝缘栅双极晶体管通过沟槽将器件背面部分或全部区域设置为多晶P+发射区，以此调节背P+发射区向N型基区注入空穴的效率，提高器件高频特性的应用范围。本发明还提供了一种背沟槽结构绝缘栅双极晶体管的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 结构 绝缘 双极晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种背沟槽结构绝缘栅双极晶体管的制备方法，其特征在于：依次包括如下步骤：1)对N型片进行双面N型杂质扩散；2)通过减薄抛光去除上表面N型杂质扩散层和去除下表面部分N型杂质扩散层：3)在N型片上表面形成P型基区、N+源区、栅氧化层和栅极介质；4)在N型片下表面通过掩膜刻蚀形成背沟槽，在背沟槽内壁表面淀积形成P型多晶半导体材料。
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