[发明专利]一种背沟槽结构绝缘栅双极晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201210320248.7 | 申请日： | 2012-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN103681813B | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 朱江 | 申请（专利权）人： | 朱江 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 结构 绝缘 双极晶体管 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种背沟槽结构绝缘栅双极晶体管的制备方法，其特征在于：依次包括如下步骤：
1)对N型片进行双面N型杂质扩散；
2)通过减薄抛光去除上表面N型杂质扩散层和去除下表面部分N型杂质扩散层：
3)在N型片上表面形成P型基区、N+源区、栅氧化层和栅极介质；
4)在N型片下表面通过掩膜刻蚀形成背沟槽，在背沟槽内壁表面淀积形成P型多晶半导体材料。
2.一种如权利要求1制备方法所述的背沟槽结构绝缘栅双极晶体管，其特征在于：包括：
N型基区，由N+缓冲层和N-基区叠加组成，N-基区位于N+缓冲层上方；
P型基区、N+源区、栅氧化层和栅极介质，位于N型基区上方；
背沟槽多晶P+发射区，为多个背沟槽结构，背沟槽位于N型基区N+缓冲层内下方，整个P+发射区由P型多晶半导体材料构成，P型多晶半导体材料临靠背沟槽内壁，同时背沟槽内填充电极金属。
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