[发明专利]一种绝缘栅双极晶体管有效
| 申请号： | 201210320208.2 | 申请日： | 2012-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN103681810B | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 朱江 | 申请（专利权）人： | 朱江 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种绝缘栅双极晶体管，本发明的绝缘栅双极晶体管在N型基区表面设置有P型基区、N+源区、栅氧化层和栅极介质，在N型基区下表面设置了多晶P型半导体材料作为器件的背P+发射区；本发明的绝缘栅双极晶体管降低了器件的导通电阻，提高了器件的高频应用能力。本发明还提供了一种绝缘栅双极晶体管的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘栅双极晶体管 表面设置 导通电阻 高频应用 栅极介质 栅氧化层 发射区 下表面 多晶 源区 制备 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘栅双极晶体管，其特征在于：包括：/nN型基区，由N+缓冲层和N-基区叠加组成，N-基区位于N+缓冲层上方，为N型半导体材料；/nP型基区、N+源区、栅氧化层和栅极介质，位于N型基区上方；/n背P+发射区，完全为多晶P型半导体材料构成，位于N+缓冲层的下方，背P+发射区为在上表面形成P型基区、N+源区、栅氧化层和栅极介质后，在N+缓冲层下表面形成多晶P型半导体材料，背P+发射区背部设置金属，形成背P+发射区电极。/n
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