[发明专利]三维印录存储器无效
| 申请号： | 201210319953.5 | 申请日： | 2012-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN103681674A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 张国飙 | 申请（专利权）人： | 成都海存艾匹科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/102 | 分类号： | H01L27/102;H01L21/822;G11C17/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610041 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 高昂的数据掩膜版成本将极大地限制三维掩膜编程只读存储器（3D-MPROM）的广泛应用。本发明提出一种三维印录存储器（3D-P）。它使用共享型数据掩膜版来降低数据录入成本。通过在同一数据掩膜版上形成多个不同海量出版物的数据图形，分摊到每个海量出版物上的掩膜版成本将极大降低。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 | ||
【主权项】：
一种三维印录存储器，其特征在于包括：一半导体衬底；多个堆叠在该衬底上并与之耦合的存储层，所述多个存储层相互堆叠，每个存储层含有至少一层数据录入膜，该数据录入膜中的图形代表存储的数据，所述存储层的最小特征尺寸小于45nm；该存储器存储多个不同海量出版物的数据。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都海存艾匹科技有限公司，未经成都海存艾匹科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210319953.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种电极引出结构、阵列基板以及显示装置
- 下一篇：半导体器件的金属栅极结构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
