[发明专利]三维印录存储器

权利要求书

1.一种三维印录存储器，其特征在于包括：

一半导体衬底；

多个堆叠在该衬底上并与之耦合的存储层，所述多个存储层相互堆叠，每个存储层含有至少一层数据录入膜，该数据录入膜中的图形代表存储的数据，所述存储层的最小特征尺寸小于45nm；

该存储器存储多个不同海量出版物的数据。

2.根据权利要求1所述的存储器，其特征还在于：每个所述海量出版物所含的的数据量不小于0.5GB。

3.根据权利要求1所述的存储器，其特征还在于：所述存储层的最小特征尺寸不大于32nm，且所述存储器的发行量大于200,000。

4.根据权利要求1所述的存储器，其特征还在于：所述存储层的最小特征尺寸不大于22nm，且所述存储器的发行量大于42,000。

5.根据权利要求1所述的存储器，其特征还在于：所述存储层的最小特征尺寸不大于16nm，且所述存储器的发行量大于31,000。

6.根据权利要求1所述的存储器，其特征还在于：所述存储层的最小特征尺寸不大于11nm，且所述存储器的发行量大于15,000。

7.一种制造三维印录存储器的方法，其特征在于包括如下步骤：

1）在一半导体衬底上形成一衬底电路；

2）在该衬底电路上方形成一层底地址线；

3）在该底地址线上形成一层数据录入膜，并通过印录法将数据图形从一数据掩膜版转换到该数据录入膜中；

4）在该数据录入膜上形成一层顶地址线；

5）重复步骤2）—4）形成另一存储层；

其中，该数据图形代表存储于该存储器中数据，所述地址线的最小半周期小于45nm，所述数据掩膜版的最小特征尺寸大于所述地址线的最小半周期，所述数据掩膜版承载多个不同的海量出版物。

8.一种制造掩膜编程只读存储器（mask-ROM）的方法，其特征在于包括如下步骤：

1）形成一层数据录入膜；

2）通过印录法将数据图形从一数据掩膜版转换到该数据录入膜中；

3）形成多条与该数据录入膜耦合的地址线；

其中，该数据图形代表存储于该存储器中数据，所述地址线的最小半周期小于45nm，所述数据掩膜版的最小特征尺寸大于所述地址线的最小半周期，所述数据掩膜版承载多个不同的海量出版物。

9.根据权利要求7和8所述的存储器制造方法，其特征还在于：所述数据掩膜版中的所有海量出版物均不重复。

10.根据权利要求7和8所述的存储器制造方法，其特征还在于：所述印录法包括光刻法和压印法。