[发明专利]一种提高化学溶液法制备CeO2薄膜临界厚度的方法

摘要

本发明提供一种提高化学溶液法制备CeO2薄膜临界厚度的方法，依次由以下步骤构成：a、硝酸盐的制备：按稀土与铈的离子比x：1－x，0.01≤x≤0.5配制稀土硝酸盐与硝酸亚铈混合物；b、胶体制备：将配制的稀土硝酸盐与硝酸亚铈溶解在高分子有机溶剂中；c、胶体涂敷与干燥：将b步的胶体涂覆在织构基底上，后干燥；d、分解成相：将干燥样品放入通H2/Ar还原气氛的烧结炉中,经过350oC－550oC分解，后升温至1000oC－1200oC成相，随炉冷却。本发明所述的提高化学溶液法制备CeO2薄膜临界厚度的方法其制作工艺简单、操作控制容易、成本低、不污染环境、制备的稀土掺杂的氧化铈单层缓冲层的临界厚度达到150-200nm。

主权项

一种提高化学溶液法制备CeO2薄膜临界厚度的方法，其特征依次由以下步骤构成：a、硝酸盐的制备：按稀土与铈离子比x：1－x，0.01≤x≤0.5配制稀土硝酸盐与硝酸亚铈混合物；b、胶体制备：将配制的稀土硝酸盐与硝酸亚铈溶解在高分子有机溶剂中； c、胶体涂敷与干燥：将b步中胶体均匀涂覆于织构基底上，后干燥；d、 分解成相：将干燥样品放入通H2/Ar还原气氛的烧结炉中,经过350 oC－550 oC分解，后升温至1000oC－1200oC成相，随炉冷却。