[发明专利]一种浅槽金属氧化物半导体二极管无效
| 申请号： | 201210316638.7 | 申请日： | 2012-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102820340A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 任敏;李泽宏;邓光敏;赵起越;张蒙;宋询奕;张金平;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 温利平 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种浅槽金属氧化物半导体二极管，属于半导体器件技术领域。本发明在现有浅槽金属氧化物半导体二极管（中国专利申请号201010519680.X）的基础上，在两个深P体区之间的N-外延层中均匀增加了若干平行于整个器件宽度方向的P型条；所述P型条的尾部在整个器件的背部以展宽的方式与深P体区相连或通过位于整个器件背部的浅槽金属与金属化阳极相连，以实现P型条与深P体区等电位。两个深P体区与二者之间的P型条以及N-外延层形成结型场效应晶体管（JFET）结构。本发明可以进一步降低导通压降，大大提高击穿电压并且降低泄露电流，更好地实现了正向导通压降与反向恢复时间的折中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 氧化物 半导体 二极管 | ||
【主权项】：
一种浅槽金属氧化物半导体二极管，器件从底层往上依次是金属化阴极（1）、N型重掺杂单晶硅衬底（2）、N‑外延层（3）、位于N‑外延层（3）上部两侧深P体区（4）、位于深P体区上的浅槽金属（6）、位于浅槽金属（6）内侧的N型重掺杂区（7）、位于N‑外延层表面二氧化硅栅氧化层（8）、位于二氧化硅栅氧化层（8）表面的栅电极（9）、位于器件顶部的金属化阳极（10）；所述金属化阳极（10）覆盖于器件表层，与N型重掺杂区（7）和栅电极（9）接触，并通过浅槽金属（6）与深P体区（4）接触；其特征在于，所述两个深P体区（4）之间的N‑外延层（3）中均匀分布得有若干平行于整个器件宽度方向的P型条（5）；所述P型条（5）的尾部在整个器件的背部以展宽的方式与深P体区（4）相连或通过位于整个器件背部的浅槽金属（6’）与金属化阳极（10）相连，以实现P型条（5）与深P体区（4）等电位。
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