[发明专利]一种浅槽金属氧化物半导体二极管

权利要求书

1.一种浅槽金属氧化物半导体二极管，器件从底层往上依次是金属化阴极（1）、N型重掺杂单晶硅衬底（2）、N^-外延层（3）、位于N^-外延层（3）上部两侧深P体区（4）、位于深P体区上的浅槽金属（6）、位于浅槽金属（6）内侧的N型重掺杂区（7）、位于N^-外延层表面二氧化硅栅氧化层（8）、位于二氧化硅栅氧化层（8）表面的栅电极（9）、位于器件顶部的金属化阳极（10）；所述金属化阳极（10）覆盖于器件表层，与N型重掺杂区（7）和栅电极（9）接触，并通过浅槽金属（6）与深P体区（4）接触；

其特征在于，所述两个深P体区（4）之间的N^-外延层（3）中均匀分布得有若干平行于整个器件宽度方向的P型条（5）；所述P型条（5）的尾部在整个器件的背部以展宽的方式与深P体区（4）相连或通过位于整个器件背部的浅槽金属（6’）与金属化阳极（10）相连，以实现P型条（5）与深P体区（4）等电位。

2.根据权利要求1所述的浅槽金属氧化物半导体二极管，其特征在于，所述深P体区（4）的纵向截面形状为矩形、弧形、半圆形、梯形或椭圆形。

3.根据权利要求1所述的浅槽金属氧化物半导体二极管，其特征在于，所述深P体区（4）的掺杂浓度大于N^-外延层（3）的掺杂浓度两个数量级。

4.根据权利要求1所述的浅槽金属氧化物半导体二极管，其特征在于，所述二氧化硅栅氧化层（8）为薄栅氧化层，其厚度范围为5nm到100nm。

5.根据权利要求1所述的浅槽金属氧化物半导体二极管，其特征在于，所述栅电极材料为多晶硅或具有导电性能的金属、金属氮化物、金属氧化物或金属硅化物。

6.根据权利要求1所述的浅槽金属氧化物半导体二极管，其特征在于，所述浅槽金属氧化物半导体二极管中的半导体材料采用体硅、碳化硅、砷化镓、磷化铟或锗硅。