[发明专利]栅氧化层界面陷阱密度测试结构及测试方法有效
| 申请号： | 201210313870.5 | 申请日： | 2012-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN102832203A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 何燕冬;张钢刚;刘晓彦;张兴 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及MOS器件质量及可靠性研究领域，公开了一种栅氧化层界面陷阱密度测试结构及方法。本发明使得n型和p型MOS器件的栅氧化层界面陷阱密度测试可以在同一测试结构上完成，不仅可以缩短一半的测量的时间，而且由于本测试方法是基于简单的电流－电压扫描测试，无需使用脉冲发生器等设备，降低了常规方法的测量仪器成本。本发明测量获得的具有谱峰特征的测试结果，也便于数据的分析与计算。另外，本发明测试结构是四端结构，因为可同时完成两种测试，所以等效于减小了测试结构的版图面积，降低了测试成本，满足了对于先进工艺节点下，制造成本的急速增加而带来的成本控制的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 界面 陷阱 密度 测试 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种栅氧化层界面陷阱密度测试结构，其特征在于，包括p型MOS器件的栅氧化层测试部分和n型MOS器件的栅氧化层测试部分，两个测试部分共用一个栅极。
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