[发明专利]栅电极的形成方法有效
| 申请号： | 201210309498.0 | 申请日： | 2012-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN103632944A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 钟汇才;梁擎擎;罗军;赵超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 发明公开了一种栅电极的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底上覆盖有栅电极材料层；在所述衬底上形成相互平行的连续的栅条；环绕所述相互平行的连续的栅条形成侧墙；在第一预定区域电隔离所述相互平行的连续的栅条，形成隔离的栅电极。根据本发明实施例，有源区硅之间的最小距离进一步减小，集成度进一步增加，相对于传统的线条-刻线（line-and-cut）的双图案化技术，本发明提供的栅电极形成方法改善了栅电极端对端（tip to tip）间距。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种栅电极的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上覆盖有栅电极材料层；在所述衬底上形成相互平行的连续的栅条；环绕所述相互平行的连续的栅条形成侧墙；在第一预定区域电隔离所述相互平行的连续的栅条，形成隔离的栅电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210309498.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：混合串行和并行流信道绑定架构
- 下一篇：触摸式旋钮开关
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
