[发明专利]一种适用于GaN材料外延产业化的托舟有效
| 申请号： | 201210309119.8 | 申请日： | 2012-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN102797034A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 赵红军;刘鹏;毕绿燕;袁志鹏;张俊业;张国义;童玉珍;孙永健 | 申请（专利权）人： | 东莞市中镓半导体科技有限公司;北京大学 |
| 主分类号： | C30B25/12 | 分类号： | C30B25/12;C30B29/38 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 谭一兵;王东亮 |
| 地址： | 523518 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种适用于GaN材料外延产业化的托舟，解决氮化镓半导体材料外延过程中副产物生成过快，导致系统维护频率高的难题。本发明包含有托舟，托舟四周设计有高低不同凸起的侧壁，反应物被喷洒在侧壁内侧，托舟底部设有数层可拆开的分层结构，托舟底部的衬底层上设有复数用于放置衬底的衬底槽，在托舟各层设置位于流道隔壁中的流道，托舟设计有数个尾气出口，尾气出口连接对应的尾气管道。本发明实现了控制副产物生成位置，使副产物生长在托舟内部，以清理托舟方式来降低系统清理频率，有利于实现生长氮化镓材料的产业化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 gan 材料 外延 产业化 | ||
【主权项】：
一种适用于GaN材料外延产业化的托舟，包含有：托舟（1），其特征在于，所述托舟（1）四周设计有高低不同凸起的侧壁（11），所述托舟（1）底部设有数层可拆开的分层结构，所述托舟（1）底部的衬底层（14）上设有复数用于放置衬底的衬底槽（15），所述托舟（1）各层设置位于流道隔壁（13）中的流道，所述托舟（1）的衬底层（14）下设置有位于流道隔壁（13）中的流道，所述托舟（1）设计有数个尾气出口（12），所述尾气出口（12）连接对应的尾气管道。
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