[发明专利]一种适用于GaN材料外延产业化的托舟

权利要求书

1.一种适用于GaN材料外延产业化的托舟，包含有：托舟（1），其特征在于，所述托舟（1）四周设计有高低不同凸起的侧壁（11），所述托舟（1）底部设有数层可拆开的分层结构，所述托舟（1）底部的衬底层（14）上设有复数用于放置衬底的衬底槽（15），所述托舟（1）各层设置位于流道隔壁（13）中的流道，所述托舟（1）的衬底层（14）下设置有位于流道隔壁（13）中的流道，所述托舟（1）设计有数个尾气出口（12），所述尾气出口（12）连接对应的尾气管道。

2.根据权利要求1所述的一种适用于GaN材料外延产业化的托舟，其特征在于，所述托舟（1）应用于HVPE设备、CVD设备或其他材料生长设备，所述托舟（1）的分层结构层数是1～20层。

3.根据权利要求1所述的一种适用于GaN材料外延产业化的托舟，其特征在于，所述托舟（1）的尾气出口（12）个数是1～20个；所述侧壁（11）数是四个或是一个、两个、三个、五个。

4.根据权利要求1所述的一种适用于GaN材料外延产业化的托舟，其特征在于，所述托舟（1）四边各有一个侧壁（11），其中相对两个侧壁（11）高于比邻另外两个相对侧壁（11），两个相对较低的侧壁（11）有利于反应物的喷洒和托舟（1）的移动。

5.根据权利要求1所述的一种适用于GaN材料外延产业化的托舟，其特征在于，所述托舟（1）底部分为多层，第一层是衬底层（14），衬底层（14）上表面设计有数个衬底槽（15），衬底层（14）以下是流道层，所述托舟（1）底部层与层之间设计有流道隔壁（13），使衬底层（14）表面形成气体流道（16），外延时气流将通过此流道流向尾气出口（12）。