[发明专利]用于改善的器件集成的光刻胶剥离方法

摘要

本发明提供了减少硅晶片或其它基片的错位的基于氢气的光刻胶剥离操作的方法和装置。根据各个实施例，基于氢气的光刻胶剥离方法可以采用下述技术中的一种或多种：1）通过使用具有最小过剥离持续时间的短时处理而使得氢气预算最小化，2）提供稀释的氢气，例如，2%‑16%的氢气浓度，3）通过控制处理条件和化学成分而使得材料损耗最小化，4）使用低温脱胶，5）控制植入条件和浓度，以及6）执行一种或多种剥离后通风处理。还提供了适于执行所述光刻胶剥离方法的装置。

主权项

1.一种光刻胶剥离操作的方法，包括：将基片提供给反应腔室，所述基片具有布置在其上的暴露的硅层和离子植入的光刻胶，所述离子植入的光刻胶包括整体光刻胶和在所述整体光刻胶上的碳化外层；将所述基片暴露于由处理气体产生的等离子体，其中所述处理气体包括氮气(N₂)和氢气(H₂)，其中所述处理气体中的以容积流百分比测量出的氢气浓度在2％和16％之间，并且剩余的处理气体是N₂，由此从所述基片上去除包括整体光刻胶的光刻胶；其中，所述基片在时间t内暴露于所述等离子体，并且所述以容积流百分比测量出的氢气浓度和所述时间t的叉积([H]×t)在50和2000sccm秒之间,所述基片温度在200℃和285℃之间，并且所述腔室压强在600毫托至2托之间。