[发明专利]用于改善的器件集成的光刻胶剥离方法

权利要求书

1.一种光刻胶剥离操作的方法，包括：

将基片提供给反应腔室，所述基片具有布置在其上的暴露的硅层和离子植入的光刻胶，所述离子植入的光刻胶包括整体光刻胶和在所述整体光刻胶上的碳化外层；

将所述基片暴露于由处理气体产生的等离子体，其中所述处理气体包括氮气(N₂)和氢气(H₂)，其中所述处理气体中的以容积流百分比测量出的氢气浓度在2％和16％之间，并且剩余的处理气体是N₂，由此从所述基片上去除包括整体光刻胶的光刻胶；

其中，所述基片在时间t内暴露于所述等离子体，并且所述以容积流百分比测量出的氢气浓度和所述时间t的叉积([H]×t)在50和2000sccm秒之间,所述基片温度在200℃和285℃之间，并且所述腔室压强在600毫托至2托之间。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述以容积流百分比测量出的氢气浓度在2％和10％之间。

3.如权利要求1所述的方法，其中，所述以容积流百分比测量出的氢气浓度小于8％。

4.如权利要求1所述的方法，其中，所述以容积流百分比测量出的氢气浓度为4％。

5.如权利要求1所述的方法，其中，[H]×t在50和500sccm秒之间。

6.如权利要求1所述的方法，其中，所述基片温度在200℃和250℃之间。

7.如权利要求1所述的方法，进一步包括：将光刻胶涂覆到所述基片上，将所述光刻胶曝光，使所述光刻胶形成图案，并且将所述图案转印到所述基片上。

8.一种光刻胶剥离操作的方法，包括：

将其上面布置有光刻胶的基片提供给反应腔室；

将所述基片暴露于由处理气体产生的等离子体，所述处理气体包括氢气(H₂)和氮气(N₂)，其中所述处理气体中的以容积流百分比测量出的氢气浓度是2％和16％之间，并且剩余的处理气体是N₂，由此从所述基片上去除包括整体光刻胶的光刻胶；

其中，在将所述基片暴露于所述等离子体时，所述基片在时间t内暴露于所述等离子体，并且所述以容积流百分比测量出的氢气浓度和所述时间t的叉积([H]×t)在50和2000sccm秒之间,所述基片温度在200℃和285℃之间,并且所述腔室压强在600毫托至2托之间；以及

在将所述基片暴露于所述等离子体之后，在200℃和450℃之间的基片温度下使所述基片通风。

9.如权利要求8所述的方法，进一步包括：在使所述基片通风之后，在至少800℃的基片温度下执行高温植入驱动处理。

10.如权利要求8所述的方法，其中，所述处理气体中的以容积流百分比测量出的氢气浓度小于10％。

11.如权利要求8所述的方法，其中，所述处理气体中的以容积流百分比测量出的氢气浓度小于5％。

12.一种光刻胶剥离操作的装置，包括：

等离子体源，

气体入口，其用于将气体混合物导入到所述等离子体源中，

喷淋头，其位于所述气体入口的下游，以及

基片支撑件，其位于所述喷淋头的下游，所述基片支撑件包括基座和控制被支撑在所述基片支撑件上的基片的温度的温度控制机构；以及控制器，其用于执行指令集，所述指令集包括将气体混合物导入到所述气体入口中的指令，所述气体混合物包括氮气(N₂)和氢气(H₂)，并且具有在2％和16％之间的以容积流百分比测量出的氢气浓度，其中剩余的气体混合物是N₂，并且进一步地，其中所述指令集包括以下指令：将基片在时间t内暴露于由所述气体混合物产生的等离子体，从而所述氢气浓度[H]和所述时间t的叉积([H]×t)在50和2000sccm秒之间；在将所述基片暴露于所述等离子体时，将所述基片温度保持在200℃和285℃之间并且将所述腔室压强保持在600毫托至2托之间。