[发明专利]一种GaN基LED芯片的制作方法无效
| 申请号： | 201210308097.3 | 申请日： | 2012-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN102789976A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 陈顺平;潘群峰;曾晓强;黄少华 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有低串联电阻和良好p型欧姆接触的GaN基LED制作方法，包括步骤：1）提供一GaN基LED外延片；2）清洁所述GaN基LED外延片，并将其干燥；3）在所述外延片p-GaN表面上沉积一镓空位诱导层；4）将前述GaN基LED外延片进行退火；5）去除所述GaN基LED外延片表面的镓空位诱导层；6）在经过以上处理的GaN基LED外延片上制作p型欧姆接触层以及P、N电极；7）将所述GaN基LED外延片分割成LED芯粒。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan led 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
一种GaN基LED芯片制作方法，包括步骤：1）提供一GaN基LED外延片，包括n‑GaN层、发光层和p‑GaN层；2）清洁所述GaN基LED外延片，并将其干燥；3）在所述外延片p‑GaN表面上沉积一镓空位诱导层；4）将前述GaN 基LED外延片进行退火，提高p‑GaN表面空穴浓度；5）去除所述GaN 基LED外延片表面的镓空位诱导层；6）在经过以上处理的GaN 基LED外延片上制作p型欧姆接触层以及P、N电极；7）将所述GaN 基LED外延片分割成LED芯粒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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