[发明专利]一种GaN基LED芯片的制作方法无效
| 申请号： | 201210308097.3 | 申请日： | 2012-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN102789976A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 陈顺平;潘群峰;曾晓强;黄少华 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gan led 芯片 制作方法 | ||
1.一种GaN基LED芯片制作方法，包括步骤：
1）提供一GaN基LED外延片，包括n-GaN层、发光层和p-GaN层；
2）清洁所述GaN基LED外延片，并将其干燥；
3）在所述外延片p-GaN表面上沉积一镓空位诱导层；
4）将前述GaN 基LED外延片进行退火，提高p-GaN表面空穴浓度；
5）去除所述GaN 基LED外延片表面的镓空位诱导层；
6）在经过以上处理的GaN 基LED外延片上制作p型欧姆接触层以及P、N电极；
7）将所述GaN 基LED外延片分割成LED芯粒。
2.根据权利要求1所述的一种GaN基LED芯片制作方法，其特征在于：所述步骤2）中包含HCl清洗，BOE清洗和王水清洗。
3.根据权利要求1所述的一种GaN基LED芯片制作方法，其特征在于：所述镓空位诱导层的材料选自Ni、Pt、Au、Ag、Pd中的一种或其组合。
4.根据权利要求3所述的一种GaN基LED芯片制作方法，其特征在于：所述镓空位诱导层为Ni/Au金属薄膜。
5.根据权利要求4所述的一种GaN基LED芯片制作方法，其特征在于：步骤3）中，所述Ni/Au金属薄膜厚度为10～20nm，其中Ni，Au厚度比介于1：10与1：1之间。
6.根据权利要求1所述的一种GaN基LED芯片制作方法，其特征在于：步骤4）中，所述退火温度介于500～650°C之间，气氛为空气、O2、N2或Ar。
7.根据权利要求1所述的一种GaN基LED芯片制作方法，其特征在于：步骤5）中，Ni/Au金属薄膜的去除方法为：先将所述GaN基LED外延片置于KI或者王水中去除Au层，然后用稀硝酸去除Ni层。
8.根据权利要求1所述的一种GaN基LED芯片制作方法，其特征在于：步骤6）中，所述p型欧姆接触层为透明导电的材料。
9.根据权利要求1所述的一种GaN基LED芯片制作方法，其特征在于：步骤6）中，所述p型欧姆接触层为具有高反射性的p型镜面反射结构。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门市三安光电科技有限公司，未经厦门市三安光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210308097.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
