[发明专利]氮化物半导体发光器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201210308002.8 | 申请日： | 2012-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN103035804A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 李振燮;金定燮;李成淑;朴泰荣;孙哲守 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 李昕巍 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了氮化物半导体发光器件及其制造方法。该氮化物半导体发光器件的制造方法包括：在衬底上形成第一导电类型氮化物半导体层；在第一导电类型氮化物半导体层上形成有源层；以及在有源层上形成第二导电类型氮化物半导体层。高的输出能够通过在生长第一导电类型的氮化物半导体层期间提高掺杂效率来获得。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造氮化物半导体发光器件的方法，该方法包括：在衬底上形成第一导电类型氮化物半导体层；在所述第一导电类型氮化物半导体层上形成有源层；以及在所述有源层上形成第二导电类型氮化物半导体层，其中在形成所述第一导电类型氮化物半导体层期间，具有特定浓度的铟以特定的时间区间被反复地掺杂以在所述第一导电类型氮化物半导体层中形成多个铟掺杂层。
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