[发明专利]氮化物半导体发光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造氮化物半导体发光器件的方法，该方法包括：

在衬底上形成第一导电类型氮化物半导体层；

在所述第一导电类型氮化物半导体层上形成有源层；以及

在所述有源层上形成第二导电类型氮化物半导体层，

其中在形成所述第一导电类型氮化物半导体层期间，具有特定浓度的铟以特定的时间区间被反复地掺杂以在所述第一导电类型氮化物半导体层中形成多个铟掺杂层。

2.如权利要求1所述的方法，还包括在形成所述第一导电类型氮化物半导体层之前，在所述衬底上生长缓冲层。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述缓冲层是AlN层。

4.如权利要求1所述的方法，其中通过在所述铟掺杂层之间掺杂具有特定浓度的硅，所述第一导电类型氮化物半导体层包括交替层叠的铟掺杂层和硅掺杂层。

5.如权利要求4所述的方法，其中所述铟掺杂层是共掺杂的。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述第一导电类型氮化物半导体层用Al_xGa_(1-x)N来表示，这里0≤x≤1。

7.如权利要求4所述的方法，其中所述第一导电类型氮化物半导体层在800℃~900℃的温度在N₂气氛下形成。

8.如权利要求7所述的方法，其中所述第一导电类型氮化物半导体层的所述铟掺杂层生长两秒。

9.如权利要求4所述的方法，其中所述铟掺杂层生长两秒，所述硅掺杂层生长四秒。

10.如权利要求1所述的方法，其中所述第一导电类型氮化物半导体层通过金属有机化学气相沉积形成。

11.如权利要求1所述的方法，其中所述衬底是蓝宝石衬底、SiC、Si、MgAl₂O₄、MgO、LiAlO₂或LiGaO₂。

12.一种氮化物半导体发光器件，包括：

第一导电类型氮化物半导体层，形成在衬底上并包括交替掺杂的具有特定浓度的铟和具有特定浓度的硅；

有源层，形成在所述第一导电类型氮化物半导体层上；以及

第二导电类型氮化物半导体层，形成在所述有源层上。

13.如权利要求12所述的氮化物半导体发光器件，其中铟掺杂层插设在所述第一导电类型氮化物半导体层中的硅掺杂层之间。

14.如权利要求12所述的氮化物半导体发光器件，其中所述第一导电类型氮化物半导体层由Al_xGa_(1-x)N来表示，这里0≤x≤1。