[发明专利]低功耗相变存储单元及其制备方法有效
| 申请号： | 201210300829.4 | 申请日： | 2012-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN102779941A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 吕业刚;宋三年;宋志棠;吴良才;饶峰;刘波 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种低功耗的相变存储单元及其制备方法，所述相变存储单元包括上下两个电极，该上下两个电极中至少一个为由两种不同导电材料以纳米级厚度交替层状生长而成的多层结构。本发明还提供了制作低功耗相变存储器的方法，本发明所制作的相变存储器有效地将焦耳热抑制在相变材料区域，提高了加热效率，降低了器件功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 功耗 相变 存储 单元 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低功耗的相变存储单元，该相变存储单元包括上下两个电极，其特征在于：所述上下两个电极至少一个为由两种不同导电材料以纳米级厚度交替层状生长而成的多层结构。
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