[发明专利]低功耗相变存储单元及其制备方法有效
| 申请号： | 201210300829.4 | 申请日： | 2012-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN102779941A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 吕业刚;宋三年;宋志棠;吴良才;饶峰;刘波 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功耗 相变 存储 单元 及其 制备 方法 | ||
1.一种低功耗的相变存储单元，该相变存储单元包括上下两个电极，其特征在于：所述上下两个电极至少一个为由两种不同导电材料以纳米级厚度交替层状生长而成的多层结构。
2.根据权利要求1所述的低功耗的相变存储单元，其特征在于：上下两个电极均为由两种不同导电材料以纳米级厚度交替层状生长而成的多层结构。
3.根据权利要求1所述的低功耗的相变存储单元，其特征在于：所述导电材料选自TiN、Ti、Al、W、Ag、Au、Cu、TiW、HfN、WN、TaN及AlN中的任意两种。
4.根据权利要求1所述的低功耗相变存储单元，其特征在于：所述多层结构的厚度为30～500nm。
5.根据权利要求1所述的低功耗的相变存储单元，其特征在于：所述相变存储器进一步包括位于下电极下方的介质材料层，所述介质材料为Si3N4层或SiO2层。
6.一种制备低功耗相变存储单元的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
1）提供一半导体衬底后沉积绝缘层；
2）在该绝缘层上制备下电极；
3）沉积介质层，然后将下电极上方的介质层去除；
4)依次制备相变材料层和上电极
5）采用曝光-刻蚀工艺得到相变存储单元；
其中，制备下电极或/和上电极时，采用两种不同导电材料以纳米级厚度交替层状生长而成。
7.根据权利要求6所述的制备低功耗相变存储单元的方法，其特征在于：所述导电材料选自TiN、Ti、Al、W、Ag、Au、Cu、TiW、HfN、WN、TaN及AlN中的任意两种。
8.根据权利要求6所述的制备低功耗相变存储单元的方法，其特征在于：所述下电极或下电极的厚度为30～500nm。
9.根据权利要求6所述的制备低功耗相变存储单元的方法，其特征在于：所述介质层的材料为Si3N4或SiO2。
10.根据权利要求6所述的制备低功耗相变存储单元的方法，其特征在于，采用磁控溅射法、化学气相沉积法或原子层沉积法ALD来制备介质层、相变材料层、上电极及下电极。
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