[发明专利]一种底部隔离电荷补偿结构半导体晶片及其制备方法无效
| 申请号： | 201210298991.7 | 申请日： | 2012-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN103633138A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 朱江 | 申请（专利权）人： | 朱江 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 发明公开了一种底部隔离电荷补偿结构半导体晶片，在半导体漂移层中条状电荷补偿半导体材料底部引入厚绝缘材料，提高半导体晶片反向偏压阻断能力；本发明还提供了一种电荷补偿结构半导体晶片的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 底部 隔离 电荷 补偿 结构 半导体 晶片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种底部隔离电荷补偿结构半导体晶片，其特征在于：包括：衬底层，为半导体材料；漂移层，为第一导电类型半导体材料，位于衬底层之上，漂移层中衬底层垂直方向上分布条状第二导电类型半导体材料，在条状第二导电类型半导体材料底部具有绝缘材料。
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