[发明专利]一种底部隔离电荷补偿结构半导体晶片及其制备方法无效
| 申请号： | 201210298991.7 | 申请日： | 2012-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN103633138A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 朱江 | 申请（专利权）人： | 朱江 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 底部 隔离 电荷 补偿 结构 半导体 晶片 及其 制备 方法 | ||
1.一种底部隔离电荷补偿结构半导体晶片，其特征在于：包括：
衬底层，为半导体材料；
漂移层，为第一导电类型半导体材料，位于衬底层之上，漂移层中衬底层垂直方向上分布条状第二导电类型半导体材料，在条状第二导电类型半导体材料底部具有绝缘材料。
2.如权利要求1所述的半导体晶片，其特征在于：所述的衬底层杂质掺杂浓度大于等于1E17cm-3。
3.如权利要求1所述的半导体晶片，其特征在于：所述的漂移层第一导电类型半导体材料杂质掺杂浓度小于等于1E17cm-3。
4.如权利要求1所述的半导体晶片，其特征在于：所述的第二导电类型半导体材料杂质掺杂浓度小于等于1E17cm-3。
5.如权利要求1所述的半导体晶片，其特征在于：所述的条状第二导电类型半导体材料底部与漂移层中第一导电类型半导体材料之间有绝缘材料进行隔离。
6.如权利要求1所述的半导体晶片，其特征在于：所述的条状第二导电类型半导体材料高宽比大于等于5。
7.如权利要求1所述的半导体晶片，其特征在于：所述的条状第二导电类型半导体材料可以位于衬底层中。
8.如权利要求1所述的半导体晶片，其特征在于：所述的绝缘材料的厚度大于等于1微米。
9.如权利要求1所述的半导体晶片，其特征在于：所述的绝缘材料可以位于衬底层中。
10.如权利要求1所述的一种底部隔离电荷补偿结构半导体晶片的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
1）在衬底层表面形成第一导电类型半导体材料外延层；
2）在外延层中形成多个沟槽；
3）在沟槽内淀积绝缘材料，然后反刻蚀绝缘材料；
4）在沟槽内形成第二导电类型半导体材料，对表面进行平整化处理。
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