[发明专利]RFLDMOS厚场氧隔离介质层的结构及制作方法有效
| 申请号： | 201210297005.6 | 申请日： | 2012-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN103050534A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 吴智勇;肖胜安;孟鸿林 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种RFLDMOS厚场氧隔离介质层的结构，其场氧所需单晶硅以短棒状长方形单晶硅硅柱的形式周期性等间距排列或错位排列，硅柱之间以深沟槽分隔。本发明还公开了上述结构的RFLDMOS厚场氧隔离介质层的制作方法。本发明通过优化场氧所需单晶硅的排列方式，缩短单晶硅在同一方向的长度，有效地改善了热氧化后硅片受到的应力，同时还缩小了场氧内的孔洞，增大了孔洞在后续工艺中不会暴露的工艺窗口。 | ||
| 搜索关键词： | rfldmos 厚场氧 隔离 介质 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
RFLDMOS厚场氧隔离介质层的结构，其特征在于，场氧所需单晶硅以短棒状长方形单晶硅硅柱的形式周期性等间距排列或错位排列，硅柱之间以深沟槽分隔。
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