[发明专利]RFLDMOS厚场氧隔离介质层的结构及制作方法

权利要求书

1.RFLDMOS厚场氧隔离介质层的结构，其特征在于，场氧所需单晶硅以短棒状长方形单晶硅硅柱的形式周期性等间距排列或错位排列，硅柱之间以深沟槽分隔。

2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，当场氧最短距离在200微米以内时，场氧所需单晶硅按场氧最短距离的方向等间距排列。

3.根据权利要求1或2所述的结构，其特征在于，所述硅柱的长度为10～20微米，场氧二氧化硅的厚度为硅柱宽度的1.5倍，在硅柱宽度方向的深沟槽宽度为硅柱宽度的1.5～1.8倍，在硅柱长度方向的深沟槽宽度为场氧二氧化硅厚度的0.3～0.5倍。

4.基于权利要求1至3任何一项所述结构的RFLDMOS厚场氧隔离介质层的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）在硅衬底上淀积二氧化硅-氮化硅叠层；

2）光刻和干法刻蚀打开场氧区，并进行单晶硅回刻；

3）淀积二氧化硅硬掩膜，进行深沟槽硬掩膜刻蚀，形成深沟槽的图形；

4）刻蚀单晶硅深沟槽，形成周期性等间距或错位排列的短棒状长方形单晶硅硅柱，硅柱间以深沟槽分隔；

5）湿法清洗并刻蚀，去除残留的二氧化硅硬掩膜；

6）进行场氧化；

7）淀积二氧化硅，封住深沟槽内的孔洞，然后去除顶部非场氧区的二氧化硅。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤1）和3），二氧化硅的淀积采用化学气相沉积方法，淀积的压力为常压760托，温度为300～400摄氏度，通入硅烷和氧气混合气体；步骤1），氮化硅的淀积采用炉管成长方法，压力为常压20～30帕，温度为700～900摄氏度，通入对二氯乙烯和氨气的混合气体。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤2）和3），刻蚀条件为：压力5～50豪托，200～500瓦电极功率，刻蚀气体以气体CF₄为主；步骤2），单晶硅回刻条件为：压力5～20毫托，1000～1500瓦上部电极功率，100～200瓦下部电极功率，刻蚀气体为氯气、HBr、氧气的混合气体。

7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤4），刻蚀条件为：压力30～50毫托，1000～1500瓦上部电极功率，50～200瓦下部电极功率，气体为SF₆和O₂的混合气体。

8.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，硅柱的长度为10～20微米，在硅柱宽度方向的深沟槽宽度为硅柱宽度的1.5～1.8倍，在硅柱长度方向的深沟槽宽度为场氧二氧化硅厚度的0.3～0.5倍，场氧二氧化硅的厚度为硅柱宽度的1.5倍。

9.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤6），场氧化条件为：压力为760托，温度为900～1200℃，气体为H₂和O₂的混合气体。

10.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤7），用高密度等离子体化学气相淀积工艺淀积二氧化硅；用化学机械研磨法去除顶部非场氧区的二氧化硅。